Артикул: 1075041

Раздел:Технические дисциплины (57837 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1334 шт.)

Название или условие:
Гальванотехника и ее применение в микроэлектронике. (реферат)

Описание:
Содержание

Введение …. 3
Электрохимическая обработка металлов …… 3
Электрохимическое обезжиривание ……. 4
Электрохимическое травление …. 4
Электрохимическое полирование … 5
Электрохимическое осаждение… 6
Нанесение на поверхность изделий металлических покрытий ………6
Меднение …….. 7
Никелирование …… 8
Оловынирование ……… 8
Серебрение …… 8
Оборудование для нанесения гальванических покрытий ……9
Применение гальванотехники в микроэлектронике … 10
Удаление загрязнений с поверхности подложек … 10
Электрохимическое нанесение пленок ………. 13
Изготовление печатных плат электрохимическим методом …………16
Гальваническое меднение …… 17
Гальванические покрытия ……… 19
Заключение ……. 22
Список литературы ………23

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача 18 Начертите схему резисторного каскада усиления на транзисторе p-n-p с фиксированным напряжением смешения базы с термокомпенсацией и эмиттерной стабилизацией режима. Поясните назначение всех элементов схемы. Рассчитайте коэффициент усиления каскада по напряжению в относительных единицах и децибелах при Uвх.т = 30 В, Uвых.т = 2,7 В.	Задача 2 Определить токи транзистора IБ, IЭ, IК и напряжения на его зажимах UБ,UЭ,UК относительно общей шины (φ=0) Вариант 2 Дано Rк=4,7 кОм; Rэ=3,3 кОм; V=+10 В; Uб=0 В;
Начертить зависимость выходного напряжения Vout от входного Vin, если входной сигнал треугольной формы амплитуды +10В и -10В (рисунок 2	Расчет магнитного усилителя Рассчитать параметры магнитного усилителя по схеме (рис. 1) 1) рассчитать и выбрать сердечники для усилителя по рисунку 4; 2) определить число витков Wу и Wр, выбрать напряжение питания, подобрать диоды, построить характеристику "вход-выход", подсчитать коэффициент усиления по мощности, произвести проверку расчета. Расчет магнитного усилителя сводится к расчету дросселя, а расчет дросселя - к выбору материала и размеров сердечника, а также определению обмоточных данных, обеспечивающих заданные технические показатели усилителя Вариант 13
Составить таблицу истинности нижеприведенного триггера:	Задача 6. В данной задаче выполнить следующие задания: 1) Дать краткое описание принципа работы электронного устройства: Микропроцессор. 2) Составить схему двухкаскадного усилителя с резистивно-емкостной связью между каскадами на биполярных транзисторах из элементов, указанных на рис. 6. Схема включения транзисторов – с общим эмиттером. Объяснить назначение элементов схемы; 3) По заданным параметрам транзистора: h11Э=1050 Ом; h21Э = 50 ; h22Э =5•10-5 См; нагрузочном сопротивлении RH=33кОм=33∙103 Ом определить: - коэффициенты усиления по току ,напряжению, мощности; входное сопротивление усилителя, выполненного на транзисторе с общим эмиттером. Расчеты выполнить по точным и приближенным формулам, результаты расчетов сравнить и сделать вывод.
Комплементарное соединение транзисторов (ОЭ-ОЭ и ОК-ОБ) Ответ на теоретический вопрос - 2 страницы	Задача 1.3 Полагая диоды идеальными (напряжение на открытом диоде равно нулю, а сопротивление в запертом состоянии равно бесконечности), найти значение тока I и U для цепи. Вариант 2 Дано R1=10 кОм; R2=15 кОм; V1=-20 В; V2=+10 В;
Частота среза ωс фильтра, изображенного на рисунке, определяется по формуле: Выберите один ответ	Лабораторная работа №1 «Исследование нелинейных электрических цепей постоянного тока» Цель работы: 1) Выполнить моделирование и анализ, указанных в лабораторной работе схем с различными случаями соединения диодов; 2) Снять ВАХ следующих приборов: диод 1N5619, диод GI814. 3) Выполнить анализ ВАХ. Нахождение для диодов: рабочих зон, напряжения открытия, пороговых значений. 4) Сравнить измеренные и расчетные значения ВАХ со справочными данными, (представленными в 1 пункте практической части). Вариант 8 (Диоды 1N5619 и GI814)