Артикул: 1075038

Раздел:Технические дисциплины (57837 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1334 шт.)

Название или условие:
Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин. (курсовая работа)

Описание:
Введение
Используемые материалы при работе на оборудовании для ориентации полупроводниковых пластин. Область использования и общая характеристика оборудования для ориентации полупроводниковых пластин.
Методы ориентации полупроводниковых пластин
Техническая характеристика установки ЖК 78.08
Выводы и перспективы
Приложение 1
Приложение 2
Приложение 3
Список использованной литературы
Количество страниц - 17

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Начертить зависимость выходного напряжения Vout от входного Vin, если входной сигнал треугольной формы амплитуды +10В и -10В (рисунок 2	Ответы на тест по электронике Вариант 6
Расчет магнитного усилителя Рассчитать параметры магнитного усилителя по схеме (рис. 1) 1) рассчитать и выбрать сердечники для усилителя по рисунку 4; 2) определить число витков Wу и Wр, выбрать напряжение питания, подобрать диоды, построить характеристику "вход-выход", подсчитать коэффициент усиления по мощности, произвести проверку расчета. Расчет магнитного усилителя сводится к расчету дросселя, а расчет дросселя - к выбору материала и размеров сердечника, а также определению обмоточных данных, обеспечивающих заданные технические показатели усилителя Вариант 13	Задача 2 Определить токи транзистора IБ, IЭ, IК и напряжения на его зажимах UБ,UЭ,UК относительно общей шины (φ=0) Вариант 2 Дано Rк=4,7 кОм; Rэ=3,3 кОм; V=+10 В; Uб=0 В;
Задача 2.3 Ek = 9.7 В β = 50 (Si - кремний) Определить напряжение коллектор-эмиттер Uкэ - ?	Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа (МДП)
Задача 28 Поясните назначение и принцип действия фазочувствительного усилителя. Начертите схему фазочувствительного усилителя, используемого в реле 33П-1. Поясните состав и работу усилителя.	Задача 1.3 Полагая диоды идеальными (напряжение на открытом диоде равно нулю, а сопротивление в запертом состоянии равно бесконечности), найти значение тока I и U для цепи. Вариант 1 Дано R1=5 кОм; R2=10 кОм; V1=-10 В; V2=+10 В;
Задача 6. В данной задаче выполнить следующие задания: 1) Дать краткое описание принципа работы электронного устройства: Микропроцессор. 2) Составить схему двухкаскадного усилителя с резистивно-емкостной связью между каскадами на биполярных транзисторах из элементов, указанных на рис. 6. Схема включения транзисторов – с общим эмиттером. Объяснить назначение элементов схемы; 3) По заданным параметрам транзистора: h11Э=1050 Ом; h21Э = 50 ; h22Э =5•10-5 См; нагрузочном сопротивлении RH=33кОм=33∙103 Ом определить: - коэффициенты усиления по току ,напряжению, мощности; входное сопротивление усилителя, выполненного на транзисторе с общим эмиттером. Расчеты выполнить по точным и приближенным формулам, результаты расчетов сравнить и сделать вывод.	5. В три плеча мостовой схемы на рис. 5.1 включены линейные сопротивления Z2, Z3, Z4, а в одно плечо – идеальный диод с характеристикой, изображенной на рис. 5.2. К зажимам c и d схемы присоединен источник синусоидальной ЭДС e=100∙sinωt. Построить кривую напряжения между точками a и b во времени. Определить среднее за период значение этого напряжения. Значения Z приведены в таблице Вариант 5д