Артикул: 1137535

Раздел:Технические дисциплины (84538 шт.) >
  Приборостроение (99 шт.)

Название или условие:
Разработка конструкции и технологии производства интегральной микросхемы специального назначения (Курсовая работа)
Вариант 6

Описание:
1. Анализ задания 5
1.1. Поверочный расчет резисторов 7
1.2. Поверочный расчет конденсаторов 9
2. Расчет конструкций тонкопленочных резисторов 10
2.1. Порядок проведения расчета 10
2.2. Выбор резистивного материала 11
2.3. Расчет геометрических параметров резистора типа «меандр» 12
2.4. Расчет резистора повышенной точности 15
3. Расчет конструкций тонкопленочных конденсаторов 19
3.1. Выбор материала диэлектрика 19
3.2. Определение минимальной толщины диэлектрика 20
3.3. Определение максимально допустимой относительной по-грешности активной площади конденсатора 20
3.4. Определение удельной емкости конденсатора 21
3.5. Определение активной площади пленочного конденсатора 21
3.6. Определение размеров верхней обкладки конденсатора 22
3.7. Вычисление размеров нижних обкладок конденсатора 22
3.8. Вычисление размеров диэлектрика конденсатора 23
3.9. Определение площади, занимаемой пленочным конденсато-ром на подложке 23
3.10. Проведение поверочного расчета 24
4. Расчет конструкций толстопленочных резисторов 25
4.1. Разбиение на группы 25
4.2. Определение оптимального удельного сопротивления мате-риала 26
4.3. Вычисление коэффициента формы резисторов 28
4.4. Расчет геометрических размеров резисторов 29
4.4.1. Расчет геометрических размеров резисторов с коэф-фициентом формы Кф ≥ 1 29
4.4.2. Расчет геометрических размеров резисторов с коэф-фициентом формы Кф < 1 30
5. Расчет конструкций толстопленочных конденсаторов 32
5.1. Выбор материала паст 32
5.2. Определение площади верхней обкладки конденсаторов 32
5.3. Расчет размеров верхней обкладки конденсаторов 33
5.4. Расчет размеров нижней обкладки конденсаторов 33
5.5. Определение размеров диэлектрика 33
5.6. Вычисление площади конденсатора 34
6. Навесные компоненты ГИМС 35
6.1. Выбор конденсатора 35
6.2. Транзисторы 35
7. Выбор подложки и корпуса 36
8. Выбор технологического процесса изготовления ГИМС 38
Заключение 41
Список литературы 42


Изображение предварительного просмотра:

Разработка конструкции и технологии производства интегральной микросхемы специального назначения (Курсовая работа)<br /> <b>Вариант 6</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Анализ конструкции электронных средств с помощью графов, из достоинства и недостатки
(Ответ на теоретический вопрос – 1 страница в Word)
«Конструирование формирователя импульсов (Курсовой проект по дисциплине «Основы конструирования и технологии производства РЭС»)
Вариант 7

Реферат на тему: "Хемотроны и другие электрохимические устройства"Вихревые расходомеры, основанные на использовании эффектов, порождаемых так называемой дорожкой Кармана ( Курсовая работа по дисциплине Датчики)
Проектирование гибридных интегральных микросхем (Курсовая работа) - УНЧ
Проектирование СВЧ трансформатора
В техническом задании определены следующие параметры разрабатываемого трансформатора:
- центральная частота 4000 МГц;
- волновое сопротивление подводящей линии 22 Ом;
- волновое сопротивление отходящей линии 42 Ом;
- полоса рабочих частот 5%;
- материал с диэлектрической проницаемостью 10,0 и толщиной 0,5 мм.
РАЗРАБОТКА ПРИБОРА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ИНДУКТИВНОСТИ (Бакалаврская работа)Лабораторная работа на тему: «Анализ и разработка печатной платы на изделие электронных средств первого иерархического уровня »
Курсовая работа на тему: "Анализ и обоснование основных элементов и узлов проектируемого радиоэлектронного устройства"
Автоматизация лабораторных исследований однофазного трансформатора (Дипломная работа)